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本发明公开了一种氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法,用于解决现有的方法制备出的Cu2O禁带宽度大的技术问题。技术方案是超声清洗柔性ITO衬底, ...
氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种半导体薄膜材料的制备方法,特别是涉及一种氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法。
背景技术
[0002] 材料的形貌和尺寸极大地影响着材料的性质,因而决定其应用特性,Cu2O是光电子领域很有前途的材料。制备各种形貌和结构Cu2O晶体很有必要,并且通过对其生长机理的研究来达到控制形貌的目的也迫在眉睫。
[0003]文献 “D. P. Singh, N. R. Neti, A. S. K. Sinha, 0. N. Srivastava. Growth ofDifferent Nanostructures of Cu20(Nanothreads,Nanowires and Nanocubes)by SimpleElectrolysis Based Oxidation of Copper. J. Phys. Chem. C 2007, 111 :1638_1645” 公开 了一种Cu2O的制备方法,该方法采用电解的方法制备出Cu2O,其禁带宽度为2. 69eV。
发明内容
[0004] 为了克服现有的方法制备出的Cu2O禁带宽度大的不足,本发明提供一种氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法。该方法是在柔性ITO衬底上通过电化学沉积法采用标准的三电极系统并调节反应时间、温度以及溶液的PH值,可以制备出禁带宽度小的氧化亚铜半导体薄膜材料,同时还可以实现氧化亚铜半导体薄膜材料形貌可控。
[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法,其特点是包括以下步骤:
[0006] (a)依次采用蒸馏水、无水乙醇、丙酮、无水乙醇超声清洗柔性ITO衬底20〜40min,后用去离子水冲洗数次,烘干备用。
[0007] (b)按摩尔比为I : I称量CuSO4和柠檬酸,分别溶于去离子...
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